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容量轻松提升 三星3D垂直闪存技术解析

浏览 时间 2024-02-18 作者 铸乐产品系列

  近几年随着固态硬盘迅速的崛起,与传统的机械硬盘相比,固态硬盘在速度方面的优势相当明显,但始终没有办法摆脱容量的限制,不过采用全新32层3DV-NAND技术的三星固态硬盘850PRO的出现,完美的将这样的一个问题解决了。

  850PRO固态硬盘采用了三星电子独家专利3DV-NAND闪存技术,那么3DV-NAND到底是啥意思呢?3D是指立体存储,V指的是垂直存储,说起来就是不再追求缩小cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元,这样也能够达到容量增多的目的。

  结构方面,首先是将多晶硅晶体管垂直过来,并将绝缘体和控制栅极(ControlGate)从平面改为圆柱形,包裹住整个晶体管,然后将他们在垂直方向上堆叠起来,这样就构成了3DV-NAND的基本形态。

  此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术,临近存储单元的堆放密度极限,三星3DV-NAND技术采用不一样于传统NAND闪存的排列方式,通过改进型的ChargeTrapFlash技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

  三星升级3DV-NAND技术改为32层柱状细胞结构,可以垂直堆叠更多个存储单元,来提升密度,降低碳足迹,同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外,第二代32层3DV-NAND闪存的常规使用的寿命较之SLC闪存更长,让您的应用更加安心。

  事实上,三星在平面型闪存的封装技术上也已达到了很深的造诣,他们早在2012年给RetinaMacBookPro提供的就是已经采用了16层堆叠的SSD,不过现在借助3DV-NAND,目前已能实现单层86Gb、32层封装,单颗NAND的容量能做到344GB,毫无疑问,3DV-NAND是三星的未来,也是整个NAND行业的未来。

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